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              AlN薄膜

              簡要描述:AllN Epitxial范本saphhire提出了氫化物氣相外延(HVPE)的方法。氮化鋁薄膜又是成本效益的方法,用來取代氮化鋁單晶襯底??凭д嬲\歡迎您的垂詢!

              • 產品型號:
              • 廠商性質:生產廠家
              • 更新時間:2021-11-15
              • 訪  問  量:729
              詳細介紹

              產品名稱:

              氮化鋁(AlN)薄膜

              產品簡介:

              AllN Epitxial范本saphhire提出了氫化物氣相外延(HVPE)的方法。氮化鋁薄膜又是成本效益的方法,用來取代氮化鋁單晶襯底??凭д嬲\歡迎您的垂詢!

              技術參數:

              尺寸

               dia50.8mm±1mm

              藍寶石襯底取向

               c軸(0001)±1.0deg

              襯底:

               Al2O3;SiC;GaN

              薄膜厚度:

              10-5000nm

              導電類型:

               半絕緣型

              位錯密度:

              XRD FWHM of <0002><500arcsec;

              XRD FWHM of <10-12><1500arcsec;

              有效面積:

              >80%

              拋光:

              單拋光


                產品規格:


              氮化鋁(藍寶石襯底):dia2"*1500nm±10%


              注:可根據客戶需求定制特殊的方向和尺寸。

              標準包裝:

              1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝


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