簡要描述:磷化銦(InP)晶體基片
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磷化銦(InP)晶體基片
技術參數:
單晶
InP
摻雜
None;Sn;S;Fe:Zn
3.0莫氏硬度
導電類型
N;N;N;Si;P
載流子濃度cm-3
1-2x1016 1-3x10181-4x1018 .6-4x1018
位錯密度cm-2
<5x104
生長方法
LEC
彈性模量
7.1E11dyn Cm-2
標準尺寸:<100>, dia2"x0.5mm,單拋;
<100>, 10x10x0.5mm,單拋;
表面粗糙度Ra:<15A
注:可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。
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