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              InP晶體基片

              簡要描述:磷化銦(InP)晶體基片

              • 產品型號:
              • 廠商性質:生產廠家
              • 更新時間:2021-11-15
              • 訪  問  量:634
              詳細介紹


              產品名稱:

              磷化銦(InP)晶體基片


              技術參數:

              單晶

              InP

              摻雜

              None;Sn;S;Fe:Zn

              硬度

              3.0莫氏硬度

              密度4.78 g/cm3

              導電類型

              N;N;N;Si;P

              折射率3.45

              載流子濃度cm-3

              1-2x1016     1-3x1018
              1-4x1018     .6-4x1018

              位錯密度cm-2

              <5x104

              生長方法

              LEC

              溫度1072℃

              彈性模量

              7.1E11dyn  Cm-2

              產品規格:

              標準尺寸:<100>, dia2"x0.5mm,單拋;

                        <100>, 10x10x0.5mm,單拋;

              表面粗糙度Ra:<15A

              注:可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。

              標準包裝:1000級超凈室,100級超凈袋封裝


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