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              SiC晶體基片

              簡要描述:SiC晶體基片

              • 產品型號:
              • 廠商性質:生產廠家
              • 更新時間:2021-11-15
              • 訪  問  量:741
              詳細介紹

              產品名稱:

              碳化硅(SiC)晶體基片

              技術參數:

              晶胞結構

               六方

              晶格常數

               a =3.08 ?      c = 15.08 ?

              排列次序

               ABCACB  (6H)

              生長方法

               MOCVD

              方向

               生長軸或偏(0001) 3.5°

              拋光

               Si面拋光

              帶隙

               2.93 eV (間接)

              導電類型

               N

              電阻率

               0.076 ohm-cm

              介電常數

               e(11) = e(22) = 9.66     e(33) = 10.33

              熱導率@300K

               5 W / cm . K

              硬度

               9.2 Mohs


              產品規格:

              摻雜類型:6H N型 <0001> 表示專門摻N的,摻雜濃度10E18-10E19;4H N型;半絕緣;
              常規尺寸:dia2"x0.33mm,  dia3"x0.35mm, 10x10mm,10x5mm;

              拋光情況:單拋或雙拋;

              表面粗糙度:Ra<10A

              常規晶向 :<0001>現可供應<10-10>和<11-20>,10x10x0.3mm,單拋 一種低電阻率(0.01~0.1 ohm.cm),一種是高電阻率(>10^5 ohm.cm)


              標準包裝:

              1000級超凈室100級超凈袋包裝或單片盒、插盒裝


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